IPP06CNE8N G
제조업체 제품 번호:

IPP06CNE8N G

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPP06CNE8N G-DG

설명:

MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 85 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

재고:

12801221
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제출

IPP06CNE8N G 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
85 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 180µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9240 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
214W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
IPP06C

추가 정보

다른 이름들
IPP06CNE8NG
IPP06CNE8NGXK
IPP06CNE8N G-DG
IPP06CNE8NGX
SP000096464
표준 패키지
500

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STP140N8F7
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
990
부품 번호
STP140N8F7-DG
단가
1.37
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN4R6-60PS,127
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
7843
부품 번호
PSMN4R6-60PS,127-DG
단가
1.15
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN5R0-80PS,127
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
23033
부품 번호
PSMN5R0-80PS,127-DG
단가
1.37
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN3R0-60PS,127
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
4251
부품 번호
PSMN3R0-60PS,127-DG
단가
1.62
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN7R0-100PS,127
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
4441
부품 번호
PSMN7R0-100PS,127-DG
단가
1.38
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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